FQD4N20TM
FQD4N20TM
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQD4N20TM
- 商品编号
- C903734
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - |
商品概述
这款P沟道增强型功率MOSFET采用安森美半导体专有的平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子镇流器。
商品特性
- 3.0 A、200 V,RDS(on) = 1.4 Ω(最大值)@ VGS = 10 V,ID = 1.5 A
- 低栅极电荷(典型值5.0 nC)
- 低Crss(典型值5.0 pF)
- 100%雪崩测试
应用领域
-开关模式电源-有源功率因数校正(PFC)-电子灯镇流器