FQD4N25TM-WS
1个N沟道 耐压:250V 电流:3A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQD4N25TM-WS
- 商品编号
- C903735
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.75Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W；37W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 200pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款P沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
商品特性
- 3 A、250 V,RDS(on) = 1.75 Ω(最大值)@ VGS = 10 V、ID = 1.5 A
- 低栅极电荷(典型值4.3 nC)
- 低Crss(典型值4.8 pF)
- 100%经过雪崩测试
应用领域
- 开关模式电源
- 有源功率因数校正(PFC)
- 电子镇流器