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FQD8P10TM-F085
1个P沟道 耐压:100V 电流:6.6A
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- 描述
- 此类 P 沟道增强型电场效应晶体管使用平面条纹 DMOS 专属工艺生产。此先进工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。此类器件非常适用于低压应用，如音频放大器、高效开关 DC/DC 转换器和直流电机控制。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQD8P10TM-F085
- 商品编号
- C903743
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 410mΩ@10V,3.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@80V | |
| 输入电容(Ciss) | 470pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |