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FQD5N15TM
1个N沟道 耐压:150V 电流:4.3A
- 描述
- 这款N沟道增强型功率MOSFET采用仙童半导体公司专有的平面条形和DMOs技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQD5N15TM
- 商品编号
- C903738
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V,2.15A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 230pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个1个/圆盘
总价金额：
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