FQD6N25TM
1个N沟道 耐压:250V 电流:4.4A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQD6N25TM
- 商品编号
- C903740
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W；45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进的工艺技术可在单位硅片面积上实现尽可能低的导通电阻，从而带来卓越的性能。该器件能够在雪崩模式下承受高能量，其二极管具有极短的反向恢复时间和极少的存储电荷。它专为对功率效率要求较高的应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品的电源管理。
商品特性
- 4.4 A、250 V,RDS(on) = 1.0 Ω(最大值)@ VGS = 10 V,ID = 2.2 A
- 低栅极电荷(典型值6.6 nC)
- 低Crss(典型值7.5 pF)
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关模式电源
- 有源功率因数校正(PFC)
- 电子灯镇流器