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FQD4P40TM
1个P沟道 耐压:400V 电流:2.7A
- 描述
- 此类 P 沟道增强型电场效应晶体管是使用平面条纹 DMOS 专属技术生产的。此先进技术特别适用于最大程度降低导通电阻，提供出色的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合基于互补半桥的电子灯镇流器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQD4P40TM
- 商品编号
- C903737
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.1Ω@10V,1.35A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W；50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 2500 个)个
起订量：2500 个2500个/圆盘
总价金额：
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