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FQD4P40TM
1个P沟道 耐压:400V 电流:2.7A
- 描述
- 此类 P 沟道增强型电场效应晶体管是使用平面条纹 DMOS 专属技术生产的。此先进技术特别适用于最大程度降低导通电阻，提供出色的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合基于互补半桥的电子灯镇流器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQD4P40TM
- 商品编号
- C903737
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W；50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些 2.5V 指定的 N 沟道 MOSFET 采用了仙童半导体公司先进的 PowerTrench 工艺。它针对具有宽范围栅极驱动电压（2.5V – 10V）的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- -2.7 A,-400 V,RDS(on) = 3.1 Ω(最大值)@ VGS = -10 V,ID = -1.35 A
- 低栅极电荷(典型值18 nC)
- 低Crss(典型值11 pF)
- 100%经过雪崩测试
应用领域
-电池保护-负载开关-电源管理