FGD3N60LSDTM
FGD3N60LSDTM
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- 描述
- 安森美半导体的绝缘门极双极晶体管 (IGBT) 提供极低导通损耗。该器件适用于需要极低导通电压降的应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FGD3N60LSDTM
- 商品编号
- C903663
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.481克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | IGBT管/模块 | |
IGBT类型 | - | |
集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
集电极电流(Ic) | 6A | |
耗散功率(Pd) | 40W | |
栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
栅极电荷量(Qg) | 12.5nC |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
输入电容(Cies) | - | |
开启延迟时间(Td(on)) | 40ns | |
关断延迟时间(Td(off)) | 600ns | |
导通损耗(Eon) | 250uJ | |
关断损耗(Eoff) | 1mJ | |
反向恢复时间(Trr) | 234ns | |
工作温度 | - |
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