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FGD3N60LSDTM

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描述
安森美半导体的绝缘门极双极晶体管 (IGBT) 提供极低导通损耗。该器件适用于需要极低导通电压降的应用。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FGD3N60LSDTM
商品编号
C903663
商品封装
TO-252AA
包装方式
编带
商品毛重
0.481克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型-
集射极击穿电压(Vces)600V
集电极电流(Ic)6A
耗散功率(Pd)40W
栅极阈值电压(Vge(th))-
栅极电荷量(Qg)12.5nC
属性参数值
输入电容(Cies)-
开启延迟时间(Td(on))40ns
关断延迟时间(Td(off))600ns
导通损耗(Eon)250uJ
关断损耗(Eoff)1mJ
反向恢复时间(Trr)234ns
工作温度-

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2500+¥5.214623¥13036.56

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订货9-14个工作日

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