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FGD3N60LSDTM
FGD3N60LSDTM
- 描述
- 安森美半导体的绝缘门极双极晶体管 (IGBT) 提供极低导通损耗。该器件适用于需要极低导通电压降的应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FGD3N60LSDTM
- 商品编号
- C903663
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.481克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 6A | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 40ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 600ns | |
| 导通损耗(Eon) | 250uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 234ns | |
| 工作温度 | - |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/圆盘
总价金额：
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