FGD3N60UNDF
FGD3N60UNDF
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- 描述
- 飞兆半导体的 NPT IGBT 采用的是先进的 NPT IGBT 技术，为具有低损耗和短路耐用性特征的低功率逆变器驱动应用提供最优性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FGD3N60UNDF
- 商品编号
- C903664
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | NPT(非穿通型) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 6A | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.52V@15V,3A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 5.5ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 22ns | |
| 导通损耗(Eon) | 52uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 30uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 21ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
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