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FQD2P40TM
1个P沟道 耐压:400V 电流:1.56A
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- 描述
- 此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻，提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQD2P40TM
- 商品编号
- C903731
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.56A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@320V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FDS8840NZ旨在最大限度地减少功率转换应用中的损耗。结合了硅技术和封装技术的进步，在保持出色开关性能的同时，实现了最低的导通电阻rDS(on)。
商品特性
- 1.56 A,-400 V,VGS = -10 V、ID = -0.78 A时,RDS(on) = 6.5 Ω(最大值)
- 低栅极电荷(典型值10 nC)
- 低Crss(典型值6.5 pF)
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-开关模式电源-音频放大器-直流电机控制-可变开关电源应用