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FDS9926A
2个N沟道 耐压:20V 电流:6.5A
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- 描述
- 此类 N 沟道 2.5V 指定 MOSFET 使用先进的 PowerTrench 工艺。它针对较宽门极驱动电压额定值 (2.5V – 10V) 的电源管理应用进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS9926A
- 商品编号
- C903644
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.09克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品特性
- 6.5 A、20 V。RDS(ON) = 30 m Ω(VGS = 4.5 V 时)
- RDS(ON) = 43 m Ω(VGS = 2.5 V 时)
- 针对电池保护电路的使用进行了优化
- 低栅极电荷
应用领域
-电池保护-负载开关-电源管理