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FDS8840NZ
1个N沟道 耐压:40V 电流:18.6A
- 描述
- FDS8840NZ 适用于最大程度降低电源转换应用中的损耗。同时结合了硅和封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS8840NZ
- 商品编号
- C903641
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 144nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.535nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用安森美半导体（ON Semiconductor）先进的Power Trench®工艺制造，该工艺经过特别优化，可在保持卓越开关性能的同时，最大程度降低导通电阻。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 18.6 A时,最大导通电阻rDS(on) = 4.5 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 14.9 A时,最大导通电阻rDS(on) = 6.0 mΩ
- 典型人体模型(HBM)静电放电保护等级为6 kV
- 高性能沟槽技术,实现极低的导通电阻rDS(on)和快速开关
- 高功率和电流处理能力
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准
应用领域
- 用于Vcore和服务器的同步降压电路
- 笔记本电脑电池组
- 负载开关