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FDFS6N548
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - |
商品概述
CS2301采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至 -2.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -20V，漏极电流（ID） = -3A
- 栅源电压（VGS） = -4.5V 时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 90 mΩ
- 栅源电压（VGS） = -2.5V 时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 120 mΩ
- 具备高功率和大电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理