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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 746pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
UniFET™ II MOSFET是基于先进平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。该先进MOSFET系列在平面MOSFET中具有最小的导通电阻，还具备卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部栅源ESD二极管使UniFET™ II MOSFET能够承受超过2kV的HBM浪涌应力。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX和电子灯镇流器。
商品特性
- 导通电阻rDS(ON) = 50 mΩ(典型值),栅源电压VGS = 10 V,漏极电流ID = 4.5 A
- 总栅极电荷Qg(tot) = 11 nC(典型值),栅源电压VGS = 10 V
- 低米勒电荷
- 低反向恢复电荷QRR体二极管
- 高频下效率优化
- 具有非钳位感性开关(UIS)能力(单脉冲和重复脉冲)
应用领域
- 直流-直流转换器和离线式不间断电源(UPS)
- 分布式电源架构和电压调节模块(VRM)
- 24V和48V系统的初级开关
- 高压同步整流器
- 直喷/柴油喷射系统
- 42V汽车负载控制
- 电子气门机构系统