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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V,4.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 746pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
交货周期
订货65-67个工作日购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5000 个)个
起订量：5000 个2500个/圆盘
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