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FDS4897AC
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:5.2A
- 描述
- 这些双N沟道和P沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺经过特别优化，可在最大程度降低导通电阻的同时，保持出色的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS4897AC
- 商品编号
- C903624
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 39mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.015nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用了仙童半导体公司先进的Power Trench®工艺制造，该工艺在导通电阻rDS(on)、开关性能和耐用性方面进行了优化。
商品特性
- Q1:N 沟道
- 在 VGS = 10 V、ID = 6.1 A 时,最大 rDS(on) = 26 mΩ
- 在 VGS = 4.5 V、ID = 5.6 A 时,最大 rDS(on) = 31 mΩ
- Q2:P 沟道
- 在 VGS = -10 V、ID = -5.2 A 时,最大 rDS(on) = 39 mΩ
- 在 VGS = -4.5 V、ID = -4.1 A 时,最大 rDS(on) = 65 mΩ
- 经过 100% 单脉冲雪崩能量(UIL)测试
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 逆变器
- 电源