FDS8449-F085
1个N沟道 耐压:40V 电流:7.6A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS8449-F085
- 商品编号
- C903637
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 760pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别设计，可将导通电阻和开关损耗降至最低。增加了栅 - 源齐纳二极管以提高ESD电压等级。
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 7.6 A 条件下,典型 RDS(on) = 21 m Ω
- 在 VGS = 4.5 V、ID = 6.8 A 条件下,典型 RDS(on) = 26 m Ω
- 在 VGS = 5 V、ID = 7.6 A 条件下,典型 Qg(5) = 7.7 nC
- 符合 RoHS 标准
- 通过 AEC Q101 认证
应用领域
- 逆变器
- 电源