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FDS86106
1个N沟道 耐压:100V 电流:3.4A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺生产的，针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS86106
- 商品编号
- C903638
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.144克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@10V,3.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 208pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/圆盘
总价金额：
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