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FDS86106
1个N沟道 耐压:100V 电流:3.4A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺生产的，针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS86106
- 商品编号
- C903638
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.144克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 208pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高采用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度进行了优化。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 3.4 A条件下,最大导通电阻rDS(on) = 105 mΩ
- 在VGS = 6 V、ID = 2.7 A条件下,最大导通电阻rDS(on) = 171 mΩ
- 高性能沟槽技术,实现极低的导通电阻rDS(on)
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和大电流处理能力
- 经过100%单脉冲雪崩能量(UIL)测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 同步整流器
- 桥式拓扑的初级开关