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FDS6910
2个N沟道 耐压:30V 电流:7.5A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6910
- 商品编号
- C903632
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.58克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款互补 MOSFET 半桥器件采用飞兆半导体（Fairchild）先进的 PowerTrench 工艺制造，该工艺经过特别优化，可在降低导通电阻的同时保持较低的栅极电荷，从而实现卓越的开关性能。
商品特性
-快速开关速度-低栅极电荷-采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)-高功率和电流处理能力
应用领域
- 直流-直流转换器-电源管理-负载开关-电池保护