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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.235nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些N沟道逻辑电平MOSFET采用仙童半导体公司先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别设计，可在保持出色开关性能的同时，最大程度降低导通电阻。 这些器件非常适合需要低线路功耗和快速开关的低压及电池供电应用。
商品特性
- 7.5 A,30 V
- 当VGS = 10 V时,RDS(ON) = 18 mΩ
- 当VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 23 mΩ
- 开关速度快
- 栅极电荷低
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 具备高功率和高电流处理能力
- SO - 8