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FDS5690
1个N沟道 耐压:60V 电流:7A
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- 描述
- 这款 N 沟道 MOSFET 采用半导体公司先进的 PowerTrench 工艺制造，该工艺经过特别优化，可最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。这些器件非常适合需要低线路功率损耗和快速开关的低压及电池供电应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS5690
- 商品编号
- C903627
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.107nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 72pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低rDS(ON)和快速开关速度进行了优化。
商品特性
- 7 A、60 V。VGS = 10 V时,RDS(on) = 0.028 Ω
- VGS = 6 V时,RDS(on) = 0.033 Ω
- 低栅极电荷(典型值23 nC)
- 快速开关速度
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
应用领域
- DC/DC转换器
- 电机驱动器