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FDS6375
1个P沟道 耐压:20V 电流:8A
- 描述
- 此 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对较宽门极驱动电压额定值 (2.5V – 8V) 的电源管理应用进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6375
- 商品编号
- C903628
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.694nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 229pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- -8 A,-20 V,RDS(ON) = 24 mΩ(VGS = -4.5 V时)
- RDS(ON) = 32 mΩ(VGS = -2.5 V时)
- 低栅极电荷(典型值26 nC)
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 高电流和功率处理能力
- SO-8封装
应用领域
-电源管理-负载开关-电池保护