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FDS3890
2个N沟道 耐压:80V 电流:4.7A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总体效能而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。与具有相当的 RDS(ON) 规格的其他 MOSFET 相比，此类 MOSFET 开关速度更快，门极电荷更低。因此，该 MOSFET 驱动简单，也更安全（即使在非常高的频率下亦是如此），DC/DC 电源设计具有更高的总体效能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS3890
- 商品编号
- C903620
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.245克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 44mΩ@10V,4.7A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.18nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 在(V_{\mathrm{GS}} = 10 \mathrm{~V})、(I_{\mathrm{D}} = 15 \mathrm{~A})条件下，典型(R_{\mathrm{DS(on)}} = 6.2 \mathrm{~m} \Omega)
- 在(V_{GS} = 10 \mathrm{~V})、( ID = 15 \mathrm{~A})条件下，典型(Q_{g(\text{tot})} = 15 \mathrm{~nC})
- 具有非钳位感性负载（UIS）能力
- 符合RoHS标准
- 通过AEC Q101认证
应用领域
- 汽车发动机控制
- 动力总成管理
- 电磁阀和电机驱动器
- 电子转向系统
- 集成式启动发电机
- 12V系统主开关