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FDS4675-F085实物图
  • FDS4675-F085商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDS4675-F085

1个P沟道 耐压:40V

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描述
这款P沟道MOSFET是采用先进功率沟槽工艺的耐用栅极版本。它针对需要宽范围栅极驱动电压额定值(4.5V - 20V)的电源管理应用进行了优化。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDS4675-F085
商品编号
C903623
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.22克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))13mΩ@4.5V,9.5A
耗散功率(Pd)2.4W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)56nC
输入电容(Ciss)4.35nF
反向传输电容(Crss)290pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 导通电阻rDS(ON) = 50 mΩ(典型值),栅源电压VGS = 10 V,漏极电流ID = 4.5 A
  • 总栅极电荷Qg(tot) = 11 nC(典型值),栅源电压VGS = 10 V
  • 低米勒电荷
  • 低反向恢复电荷QRR体二极管
  • 高频下效率优化
  • 具有非钳位感性开关(UIS)能力(单脉冲和重复脉冲)

应用领域

  • 直流-直流转换器和离线式不间断电源(UPS)
  • 分布式电源架构和电压调节模块(VRM)
  • 24V和48V系统的初级开关
  • 高压同步整流器
  • 直喷/柴油喷射系统
  • 42V汽车负载控制
  • 电子气门机构系统

数据手册PDF