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FDS4675-F085
1个P沟道 耐压:40V
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- 描述
- 这款P沟道MOSFET是采用先进功率沟槽工艺的耐用栅极版本。它针对需要宽范围栅极驱动电压额定值（4.5V - 20V）的电源管理应用进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS4675-F085
- 商品编号
- C903623
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V,9.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 290pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |