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FDS2572
1个N沟道 耐压:150V 电流:4.9A
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- 描述
- UltraFET 器件结合了各种特性，可在电源转换应用中提供标杆式效率。此类器件针对 Rds(on)、低 ESR、低总电荷和 Miller 门极电荷而优化，适用于高频 DC/DC 转换器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS2572
- 商品编号
- C903616
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.87nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 导通电阻 RDS(ON) = 0.040 Ω(典型值),栅源电压 VGS = 10 V
- 总栅极电荷 Qg(TOT) = 29 nC(典型值),栅源电压 VGS = 10 V
- 低反向恢复电荷(QRR)体二极管
- 高频下效率最大化
- 具备非钳位感性开关(UIS)额定值
应用领域
- 直流到直流转换器
- 电信和数据通信分布式电源架构
- 48 伏输入半桥/全桥电路
- 24 伏正激和推挽拓扑结构