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FDD86580-F085
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- 特性：典型RDS(on) = 7.8mΩ，VGS = 10V，ID = 50A。 典型Qg(tot) = 20nC，VGS = 10V，ID = 50A。 UIS能力。 符合RoHS标准。 符合AEC Q101标准。应用：汽车发动机控制。 动力系统管理
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD86580-F085
- 商品编号
- C903597
- 商品封装
- DPAK(TO-252)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.385克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.43nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |