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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDD86580-F085

1个N沟道 耐压:60V 电流:50A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
描述
特性:典型RDS(on) = 7.8mΩ,VGS = 10V,ID = 50A。 典型Qg(tot) = 20nC,VGS = 10V,ID = 50A。 UIS能力。 符合RoHS标准。 符合AEC Q101标准。应用:汽车发动机控制。 动力系统管理
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDD86580-F085
商品编号
C903597
商品封装
DPAK(TO-252)​
包装方式
编带
商品毛重
0.385克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))19mΩ@10V
耗散功率(Pd)75W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.2V
栅极电荷量(Qg)30nC@10V
输入电容(Ciss)1.43nF
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+175℃

商品特性

  • 在 VGS = 10 V、ID = 50 A 条件下,典型 RDS(on) = 7.8 m Ω
  • 在 VGS = 10 V、ID = 50 A 条件下,典型 Qg(\text tot) = 20 nC
  • 具备单脉冲雪崩耐量
  • 符合 RoHS 标准
  • 通过 AEC Q101 认证

应用领域

  • 汽车发动机控制
  • 动力系统管理
  • 电磁阀和电机驱动器
  • 电子转向系统
  • 集成式起动机/发电机
  • 分布式电源架构和电压调节模块
  • 12V 系统主开关

数据手册PDF