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FDD9409L-F085
1个N沟道 耐压:40V 电流:90A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD9409L-F085
- 商品编号
- C903601
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.395克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.36nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用仙童半导体（Fairchild Semiconductor）先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺经过优化，可最大程度降低导通电阻并保持卓越的开关性能。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = 10 V、漏极电流（ID） = 12 A时，漏源导通电阻（RDS(on)） = 61 mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS） = 5 V、漏极电流（ID） = 12 A时，漏源导通电阻（RDS(on)） = 64 mΩ（典型值）
- 低栅极电荷（典型值22.2 nC）
- 低反向传输电容（Crss）（典型值42 pF）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
-消费电器-LED电视和显示器-同步整流-不间断电源-微型太阳能逆变器