温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDFS2P106A
1个P沟道 耐压:60V 电流:3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- FDFS2P106A 在 SO-8 封装内将 PowerTrench MOSFET 技术的卓越性能与极低正电压降的肖特基势垒整流器相结合。此器件特别适合用作 DC-DC 转换器的单封装方案。它具有快速开关、低门极电荷 MOSFET，且导通电阻极低。独立联接的肖特基二极管使其可用于各种 DC/DC 转换器拓扑结构。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDFS2P106A
- 商品编号
- C903607
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 714pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过专门设计，可将导通电阻降至最低，同时保持卓越的开关性能。 这些器件非常适合需要低在线功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。
商品特性
- -3.0 A、-60 V,VGS = -10 V时RDS(ON) = 110 mΩ
- VGS = -4.5 V时RDS(ON) = 140 mΩ
- 1 A、TJ = 125°C时VF < 0.45 V
- 1 A时VF < 0.53 V
- 2 A时VF < 0.62 V
- 肖特基二极管和MOSFET集成于单个功率表面贴装SO-8封装中
- 肖特基二极管和MOSFET引脚电气独立,便于灵活设计
应用领域
- DC/DC转换器
- 负载开关
- 电机驱动