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FDD9411L-F085

品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: FDD9411L-F085
商品编号: C903604
商品封装: TO-252-2
包装方式: 编带
商品毛重: 0.085克(g)

商品参数

商品概述

UniFET™ MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。该 MOSFET 专为降低导通电阻、提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度而设计。通过寿命控制，UniFET FRFET MOSFET 的体二极管反向恢复性能得到了增强。其 trr 小于 100ns，反向 dv/dt 抗扰度为 15V/ns，而普通平面 MOSFET 分别为 200ns 以上和 4.5V/ns。因此，在 MOSFET 体二极管性能至关重要的某些应用中，它可以省去额外的元件并提高系统可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示 (FPD) 电视电源、ATX 和电子灯镇流器。

商品特性

在VGS = 10 V、ID = 20 A条件下,典型导通电阻RDS(on) = 5.6 mΩ
在VGS = 10 V、ID = 20 A条件下,典型总栅极电荷Qg(tot) = 18 nC
非钳位感性负载(UIS)能力
符合RoHS标准
通过AEC Q101认证

应用领域

汽车发动机控制
动力总成管理
电磁阀和电机驱动器
电子转向系统
集成式起动机/交流发电机
分布式电源架构和电压调节模块(VRM)
12V系统主开关

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	40V
	连续漏极电流(Id)	25A
	导通电阻(RDS(on))	-
	耗散功率(Pd)	-

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	1.8V
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	-
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-
	配置	-