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FDD8N50NZTM
1个N沟道 耐压:500V 电流:6.5A
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- 描述
- UniFET™ II MOSFET基于先进的平面条形和DMOS技术。这一先进的MOSFET系列在平面MOSFET中具有最低的导通电阻，同时还具备出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部栅源ESD二极管使UniFET™ II MOSFET能够承受超过2kV的人体模型（HBM）浪涌应力
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD8N50NZTM
- 商品编号
- C903598
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 735pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
UniFET™ MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。这款MOSFET经过专门设计，可降低导通电阻，提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。UniFET Ultra FRFET™ MOSFET具有卓越的体二极管反向恢复性能。其trr小于50纳秒，反向dv/dt抗扰度为20V/纳秒，而普通平面MOSFET的trr和反向dv/dt抗扰度分别超过200纳秒和4.5V/纳秒。因此，在某些需要改善MOSFET体二极管性能的应用中，UniFET Ultra FRFET MOSFET可以省去额外的元件并提高系统可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX和电子灯镇流器。
商品特性
- RDS(on) = 770 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V,ID = 3.25 A
- 低栅极电荷(典型值14 nC)
- 低Crss(典型值5 pF)
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 增强的ESD能力
- 符合RoHS标准
应用领域
-LCD/LED/PDP电视-照明-不间断电源