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FDD86569-F085
1个N沟道 耐压:60V 电流:90A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD86569-F085
- 商品编号
- C903596
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.7mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.52nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 47pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 配置 | - |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低漏源导通电阻和快速开关速度进行了优化，能在小封装中实现极低的漏源导通电阻。
商品特性
- 52 A、60 V；栅源电压为10 V时，漏源导通电阻为15 mΩ
- 栅源电压为6 V时，漏源导通电阻为18 mΩ
- 低栅极电荷
- 快速开关
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻
应用领域
-DC/DC转换器-电机驱动器