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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDD86569-F085

1个N沟道 耐压:60V 电流:90A

品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDD86569-F085
商品编号
C903596
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.47克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))5.7mΩ
耗散功率(Pd)150W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)52nC@10V
输入电容(Ciss)2.52nF
反向传输电容(Crss)47pF
工作温度-55℃~+175℃
配置-

商品概述

这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低漏源导通电阻和快速开关速度进行了优化,能在小封装中实现极低的漏源导通电阻。

商品特性

  • 在 VGS = 10 V、ID = 80 A 条件下,典型 RDS(on) = 4.2 m Ω
  • 在 VGS = 10 V、ID = 80 A 条件下,典型 Qg(\text tot) = 35 nC
  • 具备单脉冲雪崩耐量
  • 符合 RoHS 标准
  • 通过 AEC Q101 认证

应用领域

  • 汽车发动机控制
  • 动力总成管理
  • 电磁阀和电机驱动器
  • 集成式启动发电机
  • 12V 系统主开关

数据手册PDF