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FDD6N50TM-WS
1个N沟道 耐压:500V 电流:6A
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- 描述
- UniFET MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。该MOSFET旨在降低导通电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示器 (FPD) 电视电源、ATX和电子灯镇流器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD6N50TM-WS
- 商品编号
- C903582
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@10V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 89W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.6nC@400V | |
| 输入电容(Ciss) | 940pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 13.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
UniFET™ MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。该MOSFET专为降低导通电阻、提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度而设计。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX和电子灯镇流器。
商品特性
- 当VGS = 10 V、ID = 3 A时，RDS(on) = 900 mΩ（最大值）
- 低栅极电荷（典型值12.8 nC）
- 低Crss（典型值9 pF）
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- LCD/LED/PDP电视-照明-不间断电源-交流-直流电源