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FDD86113LZ
1个N沟道 耐压:100V 电流:5.5A
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- 描述
- 此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。增加了 G-S 齐纳以提高 ESD 电压水平。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD86113LZ
- 商品编号
- C903587
- 商品封装
- DPAK(TO-252)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 104mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 29W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 285pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高整体效率而设计，可最大程度减少使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的开关节点振铃。它针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和体二极管反向恢复性能进行了优化。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- VGS = 10 V、ID = 4.2 A时,最大rDS(on) = 104 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 3.4 A时,最大rDS(on) = 156 mΩ
- 人体模型(HBM)ESD保护等级典型值>6 kV
- 高性能沟槽技术,实现极低的rDS(on)
- 广泛使用的表面贴装封装,具备高功率和电流处理能力
- 100%进行了非钳位感性负载(UIL)测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-DC-DC转换