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FDD86367-F085
1个N沟道 耐压:80V 电流:100A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD86367-F085
- 商品编号
- C903590
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 88nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.84nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - |
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 80 A 条件下,典型 RDS(on) = 3.3 m Ω
- 在 VGS = 10 V、ID = 80 A 条件下,典型 Qg(\text tot) = 68 nC
- 具备单脉冲雪崩耐量
- 符合 RoHS 标准
- 通过 AEC Q101 认证
应用领域
- 汽车发动机控制
- 动力总成管理
- 电磁阀和电机驱动器
- 集成式启动发电机
- 12V 系统主开关