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FDD86369
1个N沟道 耐压:80V 电流:90A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON) 和快速开关。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD86369
- 商品编号
- C903591
- 商品封装
- DPAK(TO-252)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.49克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.53nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
UniFET™ MOSFET基于平面条纹和DMOS技术。该MOSFET专为降低导通电阻、提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度而设计。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX电源和电子灯镇流器。
商品特性
- 在 VGS = 10V、ID = 80A 条件下,典型 RDS(on) = 5.9 , mΩ
- 在 VGS = 10 , \textV、ID = 80 , \textA 条件下,典型 Qg(\texttot) = 34 , \textnC
- 具有单脉冲雪崩耐量
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 动力系统管理
- 螺线管和电机驱动器
- 集成式起动机/交流发电机
- 12V 系统主开关