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FDD86326
1个N沟道 耐压:80V 电流:37A 电流:8A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺生产的，针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD86326
- 商品编号
- C903588
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.035nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺经过优化，可在保持卓越开关性能的同时，将导通电阻降至最低。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- 在VGS = 10 V、ID = 8 A时,最大导通电阻rDS(on) = 23 mΩ
- 在VGS = 6 V、ID = 4.6 A时,最大导通电阻rDS(on) = 37 mΩ
- 高性能沟槽技术,实现极低的导通电阻rDS(on)
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和高电流处理能力
- 与其他沟槽技术相比,栅极电荷Qg和栅漏电荷Qgd极低
- 开关速度快
- 经过100%非钳位感性负载(UII)测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流 - 直流转换