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FDD7N25LZTM
1个N沟道 耐压:250V 电流:6.2A
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- 描述
- UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD7N25LZTM
- 商品编号
- C903583
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 56W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 635pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。 与具有类似RDS(ON)规格的其他MOSFET相比，这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 其结果是，这种MOSFET易于驱动且驱动更安全（即使在非常高的频率下），并且能使DC/DC电源设计具有更高的整体效率。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 3.1 A条件下,RDS(on) = 430 mΩ(典型值)
- 低栅极电荷(典型值12 nC)
- 低Crss(典型值8 pF)
- 经过100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 增强的ESD能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- LCD/LED/PDP电视
- 消费电器
- 照明
- 不间断电源
- 交流-直流电源