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FDMS86152实物图
  • FDMS86152商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDMS86152

1个N沟道 耐压:100V 电流:45A

描述
此 N 沟道 MOSFET 使用先进的 PowerTrench 工艺生产,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDMS86152
商品编号
C891091
商品封装
PQFN-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.188克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)45A
导通电阻(RDS(on))5.2mΩ@10V,14A
耗散功率(Pd)125W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)3.37nF@50V
反向传输电容(Crss)22pF@50V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

商品特性

  • 在VGS = 10 V、ID = 80 A条件下,典型导通电阻RDS(on) = 3.7 mΩ
  • 在VGS = 10 V、ID = 80 A条件下,典型总栅极电荷Qg(tot) = 57 nC
  • 具备单脉冲雪崩耐量
  • 可焊侧翼设计,适用于自动光学检测(AOI)
  • 通过AEC - Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
  • 该器件无铅且符合RoHS标准

应用领域

  • 汽车发动机控制
  • 动力总成管理
  • 电磁阀和电机驱动器
  • 集成式启动发电机
  • 12 V系统主开关

数据手册PDF