FDMT1D3N08B
1个N沟道 耐压:80V 电流:164A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，因为具有极低的结到环境热阻，同时可保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMT1D3N08B
- 商品编号
- C891111
- 商品封装
- DualCool-88-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.397362克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 164A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 178W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺经过特殊优化，可在保持卓越开关性能的同时，最大程度降低导通电阻。
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 36 A 时,最大 rDS(on) = 1.35 m Ω
- 在 VGS = 8 V、ID = 31 A 时,最大 rDS(on) = 1.8 m Ω
- 先进的封装与硅技术结合,实现低RDS(ON)和高效率
- 下一代增强型体二极管技术,具备软恢复特性
- 8x8 mm薄型MLP封装
- MSL1坚固封装设计
- 100%通过UIL1测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 理想二极管(OringFET)/负载开关
- 同步整流
- DC-DC转换