FDMD8440L
FDMD8440L
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMD8440L
- 商品编号
- C890984
- 商品封装
- PQFN-8-EP(5x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
这款N沟道中压MOSFET采用仙童半导体公司先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺融入了屏蔽栅技术。此工艺经过优化，可将导通电阻降至最低，同时凭借同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- 栅源电压（VGS） = 10 V、漏极电流（ID） = 21 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 7.0 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V、漏极电流（ID） = 17 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 10.4 mΩ
- 支持5V驱动
- 反向恢复电荷（Qrr）比其他MOSFET供应商的产品低50%
- 降低开关噪声/电磁干扰
- 采用MSL1坚固封装设计
- 经过100% UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-主DC-DC MOSFET-DC-DC和AC-DC中的同步整流器-电机驱动-太阳能