FDMS3606S
2个N沟道 耐压:30V 电流:13A 电流:27A
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- 描述
- 此器件在一个双 PQFN 封装中包括了两个特制的 N 沟道 MOSFET。开关节点已经内部联接，可实现同步降压转换器的轻松布置和布线。控制 MOSFET (Q1) 和同步 SyncFET (Q2) 可提供最佳功率能效。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS3606S
- 商品编号
- C891052
- 商品封装
- Power-56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 27A；13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.785nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的Power Trench®工艺制造，该工艺经过特别优化，可在保持出色开关性能的同时，最大程度降低导通电阻。
商品特性
- Q1:N沟道
- VGS = 10 V、ID = 13 A时,最大rDS(on) = 8 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 11 A时,最大rDS(on) = 11 mΩ
- Q2:N沟道
- VGS = 10 V、ID = 27 A时,最大rDS(on) = 1.9 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 23 A时,最大rDS(on) = 2.8 mΩ
- 低电感封装可缩短上升/下降时间,从而降低开关损耗
- MOSFET集成可实现最佳布局,以降低电路电感并减少开关节点振铃
- 符合RoHS标准
应用领域
-计算领域-通信领域-通用负载点应用-笔记本电脑Vcore