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FDMC2610
1个N沟道 耐压:200V 电流:9.5A 电流:2.2A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是先进的 Power Trench 工艺的坚固门极版本。此产品非常适用于电源管理应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC2610
- 商品编号
- C890928
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.59克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 42W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 960pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 2.2 A条件下,最大rDS(on) = 200 m Ω
- 在VGS = 6 V、ID = 1.5 A条件下,最大rDS(on) = 215 m Ω
- 低外形——Power 33封装最大高度1mm
- 符合RoHS标准
应用领域
-直流-直流转换