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FDMC2523P
耐压:150V 电流:3A
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- 描述
- 这些P沟道MOSFET增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合音频放大器、高效开关式DC/DC转换器和直流电机控制等低电压应用
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC2523P
- 商品编号
- C890927
- 商品封装
- Power33-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0629克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 270pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 在VGS = -10 V、ID = -1.5 A时,最大rDS(on) = 1.5 Ω
- 低Crss(典型值10pF)
- 快速开关
- 低栅极电荷(典型值6.2 nC)
- 改善的dv / dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 有源钳位开关