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FDMC2523P

耐压:150V 电流:3A

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描述
这些P沟道MOSFET增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。这项先进技术经过特别设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合音频放大器、高效开关式DC/DC转换器和直流电机控制等低电压应用
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDMC2523P
商品编号
C890927
商品封装
Power33-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.0629克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on))1.5Ω@10V,1.5A
耗散功率(Pd)42W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)9nC@10V
输入电容(Ciss)270pF@25V
反向传输电容(Crss)15pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

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(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)
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