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STD11N60M6
N沟道 耐压:600V 电流:8A
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- 描述
- 采用 DPAK 封装的 N 沟道 600 V、500 mOhm（典型值）、8 A MDmesh M6 功率 MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD11N60M6
- 商品编号
- C5268761
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.476克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 387pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF |
商品概述
全新 MDmesh M6 技术融合了最新的技术进步，应用于广为人知且成熟的超结（SJ）MOSFET MDmesh 系列产品。 意法半导体（STMicroelectronics）凭借其全新的 M6 技术，在 MDmesh 上一代产品的基础上进行了升级。该技术不仅显著改善了单位面积的导通电阻 RDS(on)，还具备出色的开关性能，同时为用户带来便捷体验，以实现终端应用的最高效率。
商品特性
- 降低开关损耗
- 与上一代产品相比，单位面积的导通电阻 RDS(on) 更低
- 栅极输入电阻低
- 100% 雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用-LLC 转换器-升压 PFC 转换器