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STI24N60M6实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

STI24N60M6

1个N沟道 耐压:600V 电流:17A

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描述
N沟道600 V、162 mOhm典型值、17 A MDmesh M6功率MOSFET,I2PAK封装
商品型号
STI24N60M6
商品编号
C5268755
商品封装
I2PAK​
包装方式
管装
商品毛重
1.49克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)17A
导通电阻(RDS(on))162mΩ@10V
耗散功率(Pd)130W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.25V
栅极电荷量(Qg)23nC@480V
输入电容(Ciss)960pF
反向传输电容(Crss)4.5pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

全新的MDmesh M6技术融合了对知名且成熟的SJ MOSFET MDmesh系列的最新改进。它将出色的单位面积导通电阻(RDS(on))改善与高效的开关性能相结合,为终端应用提供最高效率的用户友好体验。

商品特性

  • 降低开关损耗
  • 与上一代产品相比,单位面积的导通电阻 RDS(on) 更低
  • 栅极输入电阻低
  • 100% 雪崩测试
  • 齐纳保护

应用领域

-开关应用-LLC 转换器-升压 PFC 转换器

数据手册PDF