温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STD12N60M6
耐压:600V 电流:9A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 采用 DPAK 封装的 N 沟道 600 V、0.29 欧姆（典型值）、12 A MDmesh M6 功率 MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD12N60M6
- 商品编号
- C5268757
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.476克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 96W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.3nC@480V | |
| 输入电容(Ciss) | 452pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件是采用MDmesh M2技术开发的N沟道功率MOSFET。由于其条形布局和改进的垂直结构，该器件具有低导通电阻和优化的开关特性，使其适用于要求最严苛的高效转换器。
商品特性
- 降低开关损耗
- 与上一代产品相比,单位面积导通电阻(RDS(on))更低
- 栅极输入电阻低
- 100%经过雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用
- LLC转换器
- 升压PFC转换器