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STW88N65M5-4
1个N沟道 耐压:710V 电流:84A
- 描述
- N沟道650 V、0.024 Ohm典型值、84 A MDmesh M5功率MOSFET，TO247-4封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW88N65M5-4
- 商品编号
- C5268753
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.766667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 710V | |
| 连续漏极电流(Id) | 84A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 450W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 204nC@520V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.825nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件是一款基于MDmesh M5创新垂直工艺技术并结合知名PowerMESH水平布局的N沟道功率MOSFET。由此生产的产品具有极低的导通电阻,特别适用于需要高功率和卓越效率的应用。
商品特性
- 更高的VDS额定值
- 更高的dv/dt能力
- 得益于额外的驱动源引脚,具备出色的开关性能
- 易于驱动
- 经过100%雪崩测试
应用领域
-高效开关应用-服务器-光伏逆变器-电信基础设施-多千瓦电池充电器