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IPD90N06S4L03ATMA1-HXY

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描述: 该N沟道场效应管具备130A最大漏极电流与60V漏源耐压，导通电阻低至3毫欧，栅源电压耐受20V。极低内阻显著降低导通损耗，适用于大电流电源模块、高性能电机驱动及储能系统逆变电路。其参数特性支持高频开关操作，能在高负载条件下维持稳定运行，满足精密功率控制设备对效率与热管理的严格要求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IPD90N06S4L03ATMA1-HXY
商品编号: C54582525
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.402克(g)

商品参数

IPD90N06S4L03ATMA1采用先进的SGT MOSFET技术，可提供低导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性。

消费电子电源、电机控制、同步整流、隔离直流、同步整流应用