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2SK3816-DL-E-HXY
2SK3816-DL-E-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管额定漏极电流为30A，漏源击穿电压60V，导通电阻为22毫欧。器件适用于中等功率开关应用，如直流电源转换、电动工具控制及消费类电子负载管理。其参数配置平衡了导通损耗与电压耐受能力，适合在需要稳定电流切换的电路中使用，能够支持高频操作并维持良好的热性能，满足各类通用电子设备对功率器件的基础需求。
- 商品型号
- 2SK3816-DL-E-HXY
- 商品编号
- C54582527
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.418克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.378nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 86pF |
商品概述
2SK3816-DL-E采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。封装形式为TO-252-2L。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60V，漏极电流（ID） = 30A
- 当栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 26mΩ
- N沟道MOSFET
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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