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FDD14AN06LA0-F085-HXY
FDD14AN06LA0-F085-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管额定漏极电流50A，漏源击穿电压60V，导通电阻11毫欧。器件适用于中高功率开关场景，如服务器电源模块、储能系统及大功率电机驱动。其参数设计在电流承载能力与导通损耗间取得平衡，支持高效电能转换。在高频切换工况下，该规格有助于降低热耗散，满足高性能计算设备及精密电力电子装置对稳定性和能效的严格要求。
- 商品型号
- FDD14AN06LA0-F085-HXY
- 商品编号
- C54582528
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.423nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 97pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 145pF |
商品概述
FDD14AN06LA0-F085采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60V，漏极电流（ID） = 50A
- 当栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 15mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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