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IPD30N06S4L23ATMA1-HXY

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描述: 该N沟道场效应管最大漏极电流为50A，漏源击穿电压60V，导通电阻仅15毫欧，栅源电压耐受值20V。低导通损耗特性使其在大电流开关场景中表现优异，适用于电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统等需要高效能功率控制的设备，能够满足高频率切换与稳定负载的处理需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IPD30N06S4L23ATMA1-HXY
商品编号: C54582524
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.408克(g)

商品参数

IPD30N06S4L23ATMA1采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。