温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTMFS5C450NT3G-HXY
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，具备低导通电阻、低栅极电荷，适用于电池保护和开关应用
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道MOSFET具备130A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为2.8毫欧。低导通电阻有效降低导通损耗，在高电流工作条件下仍能维持较高的能效水平。适用于对功率密度和热管理有较高要求的电源系统，如服务器电源、通信设备供电模块及高性能计算平台中的同步整流与负载开关等场合。
- 商品型号
- NTMFS5C450NT3G-HXY
- 商品编号
- C53262888
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 5.584nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 338pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 410pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
相似推荐
其他推荐
- NVMFS5C450NWFAFT3G-HXY
- ISC080N10NM6ATMA1-HXY
- BSC040N10NS5ATMA1-HXY
- SIR882ADP-T1-GE3-HXY
- IAUCN10S7N074ATMA1-HXY
- CSD19533KCS-HXY
- IRFB4410PBF-HXY
- SIR846ADP-T1-GE3-HXY
- IAUCN10S7N040ATMA1-HXY
- IPP045N10N3GXKSA1-HXY
- FDP045N10A-F102-HXY
- SIR5108DP-T1-RE3-HXY
- SIR516DP-T1-RE3-HXY
- IPP050N10NF2SAKMA1-HXY
- FDMS10C4D2N-HXY
- SIR5102DP-T1-RE3-HXY
- STP120NF10-HXY
- SUP85N10-10-E3-HXY
- SIR846DP-T1-GE3-HXY
- FDP4D5N10C-HXY
- SUP85N10-10-GE3-HXY